基于超景深算法的圆偏场瞬时光弹相移法拼接测量应用研究

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关键词：测量；应力；图像处理；光学仪器；双折射

中图分类号：TN 209 文献标志码：A

引言

碳化硅因有高热导率、高强度、耐高温和抗辐射等优良的性能而被广泛应用在半导体领域中，但碳化硅晶圆在制作过程中因微管，位错等缺陷会产生残余应力，导致成品质量及良品率的降低，因此对碳化硅晶圆进行高精度残余应力测量是很有必要的一道工序。（剩余2844字）

试读结束

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