磁控溅射制备碳化硼薄膜的结构与成分分析

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摘要：近年来国际上3He 资源的短缺造成了基于3He 的中子探测器高昂的成本，而以碳化硼薄膜作为中子转换层的硼基中子探测器逐渐成为了最有前景的替代方案。通过直流磁控溅射制备了 Ti/B4C 多层膜，并使用透射电子显微镜（TEM）、飞行时间二次离子质谱（ToF-SIMS）、X 射线光电子能谱（XPS）等手段对薄膜的结构与成分进行表征。（剩余9100字）

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