皮秒脉冲隐形切割碳化硅晶圆实验研究

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关键词：光纤激光器;高能量皮秒脉冲;隐形切割;4H-SiC 晶圆

引言

近年来，碳化硅（SiC）衬底芯片凭借耐高压、耐高温、饱和电子漂移速度快等诸多特点在电动汽车、智能电网领域发展迅速。在半导体器件封测环节中，晶圆衬底切割的效率和良率是影响芯片质量和性价比的重要因素。目前，晶圆衬底的切割技术主要分为机械切割和激光切割两大类。（剩余6373字）

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