石墨烯半浮栅场效应晶体管的制备与电学特性研究

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关键词：石墨烯;半浮栅;场效应晶体管;存储器

引言

2004 年，曼彻斯特大学的Geim 等分离石墨烯并证明了石墨烯以独立状态存在后，石墨烯独特的物理和光学性质引起了广泛的研究兴趣[1]。作为一种零带隙的半导体材料，石墨烯的载流子有效质量为零，其载流子的本征迁移率可以达到2×105 cm2V−1s−1[2]。（剩余4668字）

试读结束

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