一种高性能、高PSR的LDO设计

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摘要：研究分析了传统低压差线性稳压器（low dropout regulator，LDO）的结构、电源纹波对输出端的影响。针对传统LDO 相位裕度不够，电源电压抑制（power supply rejection，PSR）效果下降的情况，采用0.35 μm 标准互补金属氧化物半导体（complementary metal-oxide-semiconductor，CMOS）工艺设计了一款高性能、高PSR 的LDO，在较宽的负载电流范围内有较好的相位裕度与电源抑制。（剩余6611字）

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