手机快充智能防护方案

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关键词：浪涌；快充技术；OTP MOSFET中图分类号：TN40 文献标识码：A

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随着快充技术的发展，高电压、大电流成为快充技术的主要特征。在日常应用中存在一些不规范的操作，如使用非正规厂商的充电器，或者在电力不稳的地区使用充电设备，这可能导致电压总线（voltage bus，Vbus）端口的输出电压异常，如果这个异常电压高于设备内部芯片的耐受值，就会导致设备损坏。（剩余3058字）

试读结束

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