优化SiC MOSFET的栅极驱动

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在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET 有明显的优势。使用硅MOSFET 可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1000 V）。而IGBT 虽然可以在高压下使用，但其 “拖尾电流 “和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。（剩余3164字）

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