子单元长期存放对焊接质量的影响

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摘 要：长期进行IGBT器件焊接封装发现，IGBT器件封装所用关键部件子单元的存放时间长短对焊接空洞影响较大，本文分别对两批存放时间差别较大的子单元进行封装，通过实验对比两批产品的空洞率，结果表明存放时间较短的子单元焊接的IGBT器件空洞率明显偏小，从而提高了IGBT器件的可靠性。

关键词：IGBT；焊接；封装；空洞率；子单元

*山西省科技重大专项：大功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT）器件封装技术，项目编号：20201101017

IGBT（绝缘栅双极型晶体管）作为功率开关器件，具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通压降低、损耗小、通态电流大等诸多优点，已广泛应用于轨道交通、风力发电、电力系统、电动汽车、家电产业等领域。（剩余3957字）

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