基于开关瞬态振荡过程的半导体器件输出结电容测量方法研究

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摘  要：

半导体器件输出结电容随电压的升高非线性变化。为准确提取高压工况下输出结电容，提出一种基于开关瞬态振荡过程的半导体器件输出结电容测量方法。首先，探讨器件关断瞬态激发的高频振荡特征与结电容的数学关系，并形成对应的测量步骤。其次，从寄生电感、寄生电阻2个方面对影响精度的因素进行讨论。（剩余8102字）

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