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摘 要： 氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管具有开关速度快、器件损耗小的优点，在高频应用场合得到广泛应用。为了进一步提高变换器效率和功率密度，将三角电流模式（TCM）调制用于基于GaN器件的单相逆变器中，通过控制负向电流与死区时间实现了全范围零电压开关（ZVS），达到提高变换器效率和功率密度的目的。（剩余7969字）
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基于GaN器件的单相逆变器TCM控制策略研究
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