考虑寄生电感的SiC MOSFET半桥电路串扰峰值预测方法

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DOI：10.19912/j.0254-0096.tynxb.2021-0824 文章编号：0254-0096（2023）01-0016-08

摘 要：针对光伏并网逆变器中的串扰问题，提出一种考虑寄生电感影响的非开尔文封装SiC MOSFET串扰峰值预测算法。以TO-247-3封装SiC MOSFET构成的半桥电路为研究对象，首先分析各个阶段的串扰电压数学模型，并推导串扰电压的微分表达式；其次提出串扰峰值的预测算法，建立预测峰值所需参数的数学模型；最后搭建实验平台，验证理论的正确性和算法的有效性，为设计光伏并网逆变器的驱动和保护电路提供参考依据。（剩余12165字）