Ag掺杂TiO2阻变特性的理论研究

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摘要：阻变随机存储器（RRAM）是一种非易失性存储器。相比于传统的存储器，阻变随机存储器的读写速度和存储性能都实现了重大突破，是公认的新一代主流存储器。但是以TiO2等金属氧化物为衬底的阻变随机存储器还存在阻变机制不清楚的问题。采用基于密度泛函理论的第一性原理，研究了Ag掺杂TiO2的阻变特性，研究表明 ［001］、［110］、［011］、［111］四个方向的形成能和表面能均为负，最容易沉积形成表面。（剩余15953字）

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