低维电子材料的理论设计与性能调控研究

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[摘 要]文章首先阐述了低维电子材料的基本框架理论，其中主要包括单电子近似理论与Hartree-Fock方程的发展与应用。而后解读分析了点缺陷、线缺陷对低维电子材料晶格结构与性能的影响。最后以二硫化钨（WS2）片层材料与墨相氮化碳（g-c3n4）的设计性能调节为例，分别从低维平行应力与化学修饰两个要素层面，分析了与低维电子材料设计功能实现与性能调控有关的问题。（剩余5518字）

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