金刚石纳米切削单晶GaN的刀具角度影响研究

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第三代半导体材料氮化镓（GaN）具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率以及高电子饱和速率[1-2]，适用于制造高温、高频以及大功率器件，在发光二极管（LED）、高功率和高频率电子器件中有着广泛的应用[2-5]。由于位错、相变等缺陷会严重影响器件工作性能，因此优质GaN器件必须具备极高的表面完整性。

以金刚石颗粒为切削工具的纳米切削技术可获得优质低损的复杂表面，被广泛应用于自由曲面和高精度复杂曲面加工[6-10]。（剩余28150字）

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