磨粒振动对碳化硅CMP 的微观结构演变和材料去除的影响

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摘要 针对化学机械抛光中磨料易团聚、机械和化学作用不能充分发挥等问题，采用振动辅助的方法进行优化。通过分子动力学模拟，分析磨粒振动的频率、振幅及其压入深度、划切速度对工件表面微观原子迁移的演变规律，揭示振动对材料去除和表面改善的促进机制；并通过振动辅助化学机械抛光工艺试验和表面成分分析，验证振动辅助的抛光效果和去除机制。（剩余310字）

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