单晶SiC 基片干式摩擦化学机械抛光初探

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摘要 针对碳化硅（SiC）基片在抛光过程中效率低、费用高、环境污染大等问题，提出了一种在干式状态下对SiC 基片进行摩擦化学机械抛光的方法（dry tribochemical mechanical polishing， DTCMP）。探究不同工艺参数（磨料种类、磨粒粒径、磨粒含量、抛光盘转速、抛光载荷、固相氧化剂含量）对单晶SiC 基片抛光效率和表面质量的影响规律。（剩余431字）

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