氨浴处理p型SnO薄膜晶体管的性能研究
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中图分类号：TN321.5 文献标识码：A 文章编号：1007-9734（2025）04-0077-07
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金属氧化物半导体由于其沉积工艺多样、处理温度低、透明度高、成本低等优点，在显示器、柔性可穿戴设备、物联网等领域得到广泛应用。自从以铟镓锌氧为代表的n型氧化物半导体薄膜晶体管（TFT）因其高迁移率、低阈值电压等优势被成功应用在显示器领域[1]，研究者们开始更多地关注于开发与n型TFT性能匹配的p型氧化物半导体TFT，以此实现高性能COMS、逻辑电路的制备，推动电子技术的发展。（剩余11731字）
