质子对 B-Ga2O3 的辐照损伤仿真

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中图分类号：TN304.2 文献标识码：A文章编号：1007-9734（2025）03-0106-07

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半导体器件的发展是科技进步的重要推动力之一，为满足高频、高带宽、大功率的工作环境需求，广大科技工作者对半导体材料开展了大量研究1，其中关于 InP[2-3] ） GaN[4] 和 SiC[5-6] 等材料的研究已经相对成熟。（剩余7603字）

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