650 V高压型超结结构MOSFET器件设计与性能研究

  • 打印
  • 收藏
收藏成功
微博 QQ空间 微信


打开文本图片集

摘要：功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作为绝缘栅控制的开关型器件，因其功率大，驱动简单，应用越来越广泛。采用深槽刻蚀填充技术设计的650 V高压型超结结构MOSFET器件，主要应用于汽车充电桩等电源管理，力求在保持参数不变的前提下，优化导通电阻。（剩余7051字）

试读结束

目录
monitor