模拟优化硼掺杂多晶硅提升交叉背接触电池性能

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中图分类号：TK914.4+1 文献标志码：A

0 引言

20世纪70年代，Lammert团队开发出交叉背接触（interdigitatedbackcontact，IBC）电池[1]。近年来，钝化接触技术快速发展，基于氢化非晶硅异质结（siliconheterojunction，SHJ）[2或掺杂多晶硅 P0L0[3] 或隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）[4] 的技术日益受到重视。（剩余9208字）

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