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摘要：为了提高氧化锌（ZnO）压敏电阻的电学性能，采用常规烧结并在ZnO压敏电阻中掺杂预先合成的BiSbO4和Zn2SiO4，研究不同掺杂比例对ZnO压敏电阻的微观结构、电学性能、通流能力的影响.结果表明：ZnO压敏电阻在掺杂BiSbO4和Zn2SiO4后，能够有效抑制ZnO晶粒变大，晶体结构变得致（剩余9114字）
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掺杂预合成添加剂对氧化锌压敏电阻性能影响
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