发光学报

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用于高效光提取的深紫外LED封装体设计与优化 中图分类号：TN312.8 文献标识码：ADOI：10.37188/CJL.20240321 CSTR：32170.14.CJL.20240321 摘要：针对AIGaN基深紫外LED出光效率低的难题，设计了氟树脂紧密粘合的石英透镜封装结构，...

氧锌镁：从材料特性到紫外探测应用 摘要：氧锌镁（ Δ [ n M g O ] 是由宽禁带半导体材料氧化锌 ( Z n O 和氧化镁 ( M g O ) 构成的三元合金，作为直接带隙宽禁带半导体，其禁带宽度理论上可在 z n O 的 3 . 3 7 e V 和 M g O ...
ZnO基器件中的负光电导特性研究 摘要：作为第三代半导体电子器件中最著名的n型金属氧化物之一，氧化锌因具有高检出率、高光学增益、高灵敏度等特点常用于高性能紫外光电探测器的构筑。氧化锌的光电导行为强烈依赖于其表界面性质和导带附近的缺陷态对光生载流子的捕获和去捕获。研究发现，由...
ZnO基透明导电薄膜 摘要： z n o 是一种典型的第三代半导体材料，宽禁宽度 3 . 3 7 e V 。本征 Z n O 是一种n型半导体，采用施主元素掺杂技术可以显著提升其n型导电特性。 z n O 基透明导电薄膜具有原料来源丰富、制备方法多样、可室温生...
氧化锌基光电化学传感器研究进展 摘要：光电化学(PEC)传感器具有背景信号低、响应快、灵敏度高的优点，在环境保护和公共健康方面发挥着重要作用。氧化锌（ Z n O ) 作为一种载流子浓度高、生物相容性良好，并且结构稳定的光电材料，在PEC传感领域得到了广泛应用。本文综述了...
X射线成像闪烁体光产额测量技术与优化方法 摘要：闪烁成像屏是X射线成像技术的核心部件,其光产额的精确测定对于提升成像系统的空间分辨率和推动新型闪烁体的研发具有至关重要的作用。本文首先概述了X射线成像技术的基本原理,随后系统地综述了当前X射线成像闪烁体光产额测量的主要方法。这些方法既...
钙钛矿材料的高能辐照稳定性及损伤机制研究进展 摘要：辐照损伤是医疗影像、大科学装置、航天工业等各领域面临的共性核心问题，材料的高能辐照稳定性和损伤机理研究是其走向实际应用必不可少的环节。新型钙钛矿半导体材料在高能辐射探测领域极具应用前景,但其高能辐照稳定性仍然存在争议，辐照损伤机理尚不...

BN量子点与双戊酸协同诱导生长的Rec.2020标准绿光CsPbBr纳米晶复合材料 摘要：钙钛矿纳米晶具备出色的绿光发光特性和低成本制备优势，是有望满足超高清显示色域的重要材料。然而，由于元素成分比例和尺寸控制等多因素影响，钙钛矿纳米晶难以在 5 3 0 n m 附近形成窄绿光发射，从而与 R e c. 2 0 2...

锡基金属卤化物钙钛矿：合成、发光性能与LED应用 摘要：发光二极管是新型显示技术的核心部件,更是新一代信息技术产业之首。钙钛矿发光二极管作为最新兴起的显示技术，具有高色纯度、广色域、加工工艺简单、低成本等优势，是国内外光电器件领域的研究热点。然而，需要使用对环境有害的卤化铅钙钛矿才能实现高...
AIGaAs插人结构对InAIGaAs/AIGaAs多量子阱发光特性的影响 摘要：InAIGaAs/AIGaAs多量子阱(MQWs)因其较宽的光谱范围,在近红外及可见光区域受到越来越多的关注，并已经成为新兴的研究热点。本研究采用MOCVD生长技术制备InAIGaAs/AIGaAs多量子阱材料，依据选取插入层(ISL...
NaGdMgTeO6:eU3+荧光粉的光致发光及其多功能应用 摘要：通过高温固相法成功合成了红色荧光粉，并采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、漫反射光谱（DR）、光致发光光谱（PL）、电致发光光谱（EL）等多种测试手段对其结构形貌、光致发光特性进行了详细表征。实验结果表明，在 3 ...
新型石榴石基绿色陶瓷颜料Y3Ga3MgSiO12:cR3+的合成及颜色性能 CorrespondingAuthor，E-mail：wangxuejiao@bhu.edu.cn Abstract：Novel green ceramic pigments （ x = 0 - 0 . 2 ）were successfu...

大面积高功率940nm光子晶体面发射激光器 摘要：光子晶体面发射激光器(PCSEL)可以利用带边谐振效应实现大面积相干振荡,是一种能实现高亮度单模激射的新型半导体激光器。这使得PCSEL在激光雷达与3D传感等领域具有很好的应用前景。本文设计了一种正方单晶格非对称锥形空气孔结构的PCS...
双分子钝化埋底界面制备高效钙钛矿太阳能电池 摘要：钙钛矿太阳能电池（PSCs）的电子收集特性是影响器件性能的关键因素之一。化学浴沉积法制备的二氧化锡是PSCs常见的电子传输层材料，但是，其表面常存在大量氧空位缺陷，在钙钛矿埋底界面处造成非辐射复合损失。本文利用四氯化锡（和...
1550nmVCSEL硅基光电集成变迹光栅耦合器设计及人射角方向性优化研究 摘要：为了打破均匀光栅对称结构的限制,进一步提高硅基光电集成片上光源的耦合效率。本研究提出基于绝缘衬底上硅结构的高效递进式光栅耦合器的设计，适用于垂直腔面发射激光器(VCSEL)键合到硅光子集成电路，降低了VCSEL光电集成对键合角度的工艺...

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