镁硅氧化物助剂对AlON陶瓷光学和力学性能影响

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摘要：

以实验室碳热还原氮化法自制γ-AlON粉为原料，首次以金属氧化物MgO-SiO2为烧结助剂，采用氮气气氛无压预烧结（1 860 °C）结合热等静压（hot isostatic pressing，HIP）技术（1 800 °C），制备了具有优异光学和力学性能的AlON陶瓷。结果表明，MgO掺杂质量分数为0.1%时，随着SiO2掺杂量的增加，AlON陶瓷的透过率有所提升；0.1%MgO+0.5%SiO2共掺杂时制备的AlON陶瓷（5 mm厚）在1 000、2 500 nm波长处的透过率分别达83.6%、85.7%；采用三点弯曲法测得陶瓷的抗弯强度达306.3 MPa。（剩余9768字）