电化学储能器件的抗辐射研究
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本文聚焦于MOS储能器件及其电路在辐射环境下的行为特性展开研究，并针对性地提出电路优化策略，通过优化放大电路结构与构建冗余结构，提升其抗辐射能力。本研究成果为未来抗辐射电化学储能器件的设计与开发提供了理论依据及数据支撑。
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随着新能源以及芯片等技术的蓬勃发展，半导体器件的需求越来越大。目前，我国是全球最大的半导体消费市场，占据了全球半导体器件市场超过一半的份额；同时我国也是全球重要的半导体器件制造基地，因此备受业界的关注[1-2]。（剩余6456字）
