金属Al诱导Si晶化的Al/Si异质薄膜的原子输运模拟

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摘 要：【目的】从原子层次分析金属Al诱导Si晶化的物理过程与机理。【方法】运用第一性原理计算方法，对Al/Si异质非晶薄膜在热处理过程中Si的晶化过程进行理论计算与模拟。【结果】结果表明，Al/Si异质薄膜在热处理过程中Al、Si原子发生了互扩散现象。随热处理时间的延长，膜层系统进入能量更低较为稳定的状态。（剩余7764字）

试读结束

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