泡沫镍基底表面氢氧化镍电极材料的原位生长及其电化学性能测试

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摘 要：【目的】以泡沫镍网为基底和镍源，在温和条件下制备出低内阻的氢氧化镍电极材料。【方法】不加入任何镍源，应用两步活化法，在镍网表面原位生长出镍的氢氧化物，通过扫描电镜（SEM）对电极表面进行形貌分析，并进行电化学性能测试，探讨了活化方式、浸泡时间等影响因素对所得电极的形貌及电化学性能的影响。【结果】当电压窗口0～1.2 V，扫描圈数100圈，浸泡时间50 h所得电极在2 mA/cm2时，面积比电容高达1 059 mF/cm2，远大于未活化或单一活化的电极。（剩余5563字）

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