科学家开发出三维垂直场效应晶体管

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通过铁电栅极绝缘体和原子层沉积氧化物半导体通道，日本科学家制造了三维垂直场效应晶体管，可用来生产高密度数据存储器件。此外，通过使用反铁电体代替铁电体，他们发现擦除数据只需要很小的净电荷，从而提高了写入的效率。发表在2022年IEEE硅纳米电子研讨会上的该项成果，将催生新的更小、更环保的数据存储器。

在存储器的尺寸、容量和可负担性方面，消费类闪存驱动器已取得了巨大的进步，但新的机器学习和大数据应用程序正继续推动对创新的需求。（剩余444字）

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