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中图分类号：TG580 文献标志码：A
Abstract：The mechanismof nano-grinding of single crystal silicon carbide（SiC）with lattice defects remains unclear.A molecular dyna（剩余13956字）
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考虑晶格缺陷的单晶4H-碳化硅纳米划擦过程分子动力学仿真研究
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