InAs/GaSb超晶格中短波双色探测器新型钝化方法研究

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摘 要：由于InAs/GaSb II类超晶格材料有较高的表面态密度， 易在表面生成导电氧化层， 在将其制备成红外器件的过程中， 首先要解决钝化问题。 钝化效果和覆盖膜层质量对红外器件的表面漏电和噪声有很大影响。 使用阳极氟化加硫化锌的方法， 对中短波双色InAs/GaSb超晶格进行钝化， 使用俄歇电子能谱测试证实了阳极氟化的可靠性， 使用77 K下的 J-V 测试结果， 对比证实了氟化的钝化效果和对漏电流密度的改善效果。（剩余9471字）

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