InAlSb材料禁带宽度的温度特性研究

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摘 要： 基于经典Varshni模型，提出了In1-xAlxSb的能带值Eg随Al组分和温度变化的经验关系Eg（x， T），并通过已有的文献数据对该公式进行有效性的验证。实验上，采用分子束外延方法在InSb（100）衬底上生长p+-p+-n-n+势垒型结构的InAlSb外延层。运用高分辨率X射线衍射对材料的晶体质量及Al组分进行测试和表征，计算得出Al组分为2.8%。（剩余10876字）

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