极紫外光刻量产良率的保障：掩模版保护膜
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摘要：当前信息技术的快速发展，需要不断扩大高端芯片的产能和良率，以满足当下及未来对电子产品持续增长的需求。在高端芯片制造环节中的极紫外光刻过程中，任何落在掩模版上的纳米尺度的颗粒污染，都会使曝光成像的图案产生缺陷而降低光刻制程的良率，最终导致芯片制造成本的激增。因此，通过在掩模版上安装“保护膜”这一物理屏障，可有效阻挡任何尺度的污染颗粒进入成像的焦平面内，避免其对极紫外曝光成像质量的不利影响，从而极大地提高芯片制造的良品率。（剩余18295字）