SiO2添加量对CZP陶瓷力学及介电性能影响

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摘 要：本文研究了SiO2添加量对CZP（CaZr4P6O24）陶瓷力学性能和介电性能的影响。通过XRD分析、显微结构观察和抗弯强度测试等手段，探讨了不同SiO2添加量下CZP陶瓷的微观结构变化和力学性能表现。结果表明，适量SiO2的加入可以显著提高CZP陶瓷的抗弯强度，而过量或过少的SiO2添加都不利于陶瓷力学性能的提升。（剩余4591字）

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