基于SiC与IGBT的驱动电路设计

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摘要：功率半导体器件是电力电子系统中的关键器件。目前市面上主流的功率半导体器件有绝缘栅双极型晶体管（insulate-gate bipolar transistor，IGBT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor， MOSFET）、碳化硅（silicon carbide，SiC）等，并且其设计逐渐向大功率、高电压发展，此时设计一种稳定可靠的驱动电路就显得尤为重要。（剩余5958字）

试读结束

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