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摘要:差压传感器广泛应用于武器装备和工业过程控制。为了树立用户对国产品牌的信心,开发性能优异、拥有自主知识产权的差压芯片是非常必要的。为了解决差压芯片温度特性差、静压偏差大的常见问题,本文提出了一种电容式差压芯体双面叠层静电封接工艺设计方法,并对双面叠层静电封接的工艺参数:温度、电压、时间、表面光洁度、压力等行了优化,使其适合大规模生产。(剩余3894字)
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硅电容差压传感器叠层静电封接工艺研究
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