功率器件实际结温和壳顶温度的差异研究

——The study of the temperature gap between the junction and the case top of power device

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摘 要：本文主要研究功率器件的内部实际结温和外壳顶温度的差异，给出了测量内部实际结温的方法。研究表明，不同的器件、不同的封装类型，不同的内部封装方法，都会直接影响到温度差异，环境温度越高，温度差值越小;封装材料越厚，温度差值越大。

关键词：结温 ;壳顶温度;红外测温

开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器通常会使用功率器件，在设计过程中，要测量功率 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金氧半场效晶体管）或 IGBT（Insulated Gate BipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管）结温，保证其在合理安全的工作范围，因为功率器件结温与其安全性、可靠性直接相关。（剩余2298字）