n型TOPCon太阳电池中PL暗片的形成原因及改善措施研究

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中图分类号:TM615 文献标志码:A

0引言

TOPCon太阳电池技术因具备卓越的钝化效果和稳定的性能,已成为当今太阳电池领域的重要技术。TOPCon太阳电池结构[1因采用重掺杂的多晶硅层和超薄的隧穿氧化硅层(厚度为 1.4~1.8nm ,有效降低了太阳电池背面的载流子损失,使太阳电池表面复合电流密度非常低。(剩余11512字)

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