本征氢化非晶硅薄膜厚度对其钝化性能和HIT太阳电池电性能的影响

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摘 要：以异质结（HIT）太阳电池的本征氢化非晶硅薄膜为研究对象，该HIT太阳电池采用n型硅片作为晶硅衬底，其n型电子传输层（下文简称为“n面”）为入光侧，p型空穴传输层（下文简称为“p面”）为背光侧。首先研究了n面和p面本征氢化非晶硅薄膜的厚度对膜层钝化性能和光透过率的影响，然后进一步研究了n面和p面本征氢化非晶硅薄膜不同厚度匹配设计对HIT太阳电池电性能的影响，并选出了最优厚度匹配方案。（剩余11126字）

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