低温暗退火对TOPCon结构钝化性能的影响
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DOI： 10.19911/j.1003-0417.tyn20230314.01 文章编号：1003-0417（2023）09-60-07
摘 要：n型隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）结构用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法制备，完成高温快速烧结后，再经过低温暗退火可以极大地提升钝化接触的性能，主要表现在隐含开路电压上升和饱和电流密度下降，其原理是通过低温暗退火的方法激活氢原子，使SiNx：H中的氢原子向内部扩散，Si-SiO2界面进一步氢钝化来提高钝化性能。（剩余8282字）