Cd3As2掺杂Cd3P2纳米结构的制备及其热电性能

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摘   要：采用高压烧结法制备了Cd3（P1-xAsx）2（x=0，0.1，0.2）块体合金，然后通过化学气相沉积（chemical vapor deposition，CVD）蒸发母合金粉末到云母衬底上的方法，成功制备了掺杂Cd3As2的Cd3P2纳米结构样品。所获得的Cd3P2样品均具有四方结构（P42/nmc空间群）。（剩余10276字）

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