氧化钨-氧化锌忆阻器的制备及其神经突触特性

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文章编号：1671-3559（2024）03-0362-07DOI：10.13349/j.cnki.jdxbn.20230419.001

摘要： 为了实现忆阻器在神经形态计算中的应用，采用射频磁控溅射技术，在氧化铟锡导电玻璃衬底上依次生长氧化钨、 氧化锌异质结的阻变层和银顶电极，制备氧化钨-氧化锌忆阻器，对制得忆阻器的结构、 化学组成及电学性能进行表征和测试。（剩余13055字）

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