基于氧化铜纳米线的易失性数字识别忆阻器

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摘要： 为了实现易失性忆阻器在神经形态计算中的应用， 制备一种基于银-氧化铜纳米线-铜结构的易失性数字识别忆阻器； 采用化学溶液法和磁控溅射技术， 分别制备忆阻器的氧化铜纳米线阻变功能层和银顶电极； 对该忆阻器的结构、 物相及电学性能进行表征、 测试。 结果表明： 该忆阻器具有易失性和突触可塑性， 低阻态会在1 000 s内退化到高阻态，阻变行为由金属银原子形成的导电丝的主导作用所致； 该忆阻器对手写体数字的识别准确率高达92%， 可应用于神经形态计算。（剩余10621字）

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