具有N/P埋层结构的SiC RESURF LDMOS器件特性研究

  • 打印
  • 收藏
收藏成功
微博 QQ空间 微信


打开文本图片集

摘 要：为实现碳化硅横向双扩散金属氧化物半导体（SiC LDMOS）器件的击穿电压与导通特性的协同优化，提出一种基于PN结辅助耗尽机制的N/P复合埋层降低表面电场（RESURF）结构。通过Silvaco TCAD仿真平台建立器件模型，系统探究漂移区掺杂浓度、埋层宽度及埋层掺杂浓度对电场分布与器件特性的影响。（剩余11788字）

试读结束

目录
monitor
客服机器人