四值忆阻模拟器设计及电路实现

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摘 要：为满足不断提升的信息存储密度和能效需求，建立了一种四值忆阻器的数学模型，并对其进行了系统的仿真和实验验证。首先，运用MATLAB对模型的伏安特性曲线进行了仿真分析，结果显示该模型具备四个稳定的阻值状态，验证了其多值存储能力的理论基础。随后，设计并实现了一个基于该模型的四值忆阻模拟器。硬件实验验证了模拟器在不同阻值状态下的工作表现，并将实验测得的电导变化与仿真结果进行了详细对比。（剩余10822字）

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