基于Box-Behnken响应面法优化SC1清洗热氧化膜工艺

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中图分类号：TN405

文献标志码：A

SC1药液是 ΔNH4OH 和 H2O2 的水溶液，因其对颗粒污染物的优异去除能力，自1970年被Kem等[1]开发以来被广泛应用于集成电路前段的各大湿法工艺站点。SC1的清洗机理[2是利用 H2O2 的氧化作用，将裸露的硅表面氧化，生成一层氧化硅薄膜，而氧化硅薄膜又可以溶解于 NH4OH 的碱性环境中，通过反复刻蚀表面达到去除附着或埋藏在硅片表面污染物的目的。（剩余10325字）

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