石墨/4H碳化硅纳米多孔阵列光阳极的制备及其光电催化性能研究

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摘 要： 为提高4H碳化硅（4H Silicon carbide，4H-SiC）纳米材料的光电催化性能，采用两步阳极氧化法制备了4H-SiC纳米多孔阵列（Nanoporous array，NA），并通过高温退火制备石墨/4H-SiC NA光阳极；通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪、高分辨多功能光谱仪和电化学工作站对石墨/4H-SiC NA光阳极的形貌、结构和性能进行了表征。（剩余13773字）

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