国内外碳化硅标准比对分析

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关键词：碳化硅，标准，标准比对，中国国家标准（GB）

0引言

碳化硅具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低及化学稳定性好等诸多优点，是具有广阔发展潜力的第三代新型半导体材料。碳化硅晶片和外延衬底主要用于制造功率器件、射频器件等分立器件，可广泛应用于新能源汽车、5G通信、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等现代工业领域，在我国“新基建”的各主要领域中发挥重要作用。（剩余9588字）

试读结束

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