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中图分类号TQ164;TB131文献标志码A
文章编号 1006-852X（2025）05-0581-09
DOI码 10.13394/j.cnki.jgszz.2024.0113
收稿日期 2024-07-13修回日期2024-09-04
随着以SiC为代表的第三代半导体材料逐步走向应用，电子器件朝着高性能、高功率密度、高集成度方向发展[1-2]。（剩余13480字）
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