激光辅助水射流加工单晶碳化硅的实验研究及预测模型

打开文本图片集

中图分类号TQ164;TG58;TG71 文献标志码A

文章编号 1006-852X（2025）05-0569-12

DOI码 10.13394/j.cnki.jgszz.2024.0154

收稿日期 2024-09-21 修回日期 2024-10-11

文章OSID码

获取更多内容

单晶碳化硅（4H-SiC）具有优异的物理化学特性，如宽带隙、高热导率、高硬度、高击穿场强和极端化学惰性等[1]，在集成电路、光电子器件、航空航天和微机电系统（micro-electro-mechanical system，MEMS）等领域具有广阔的应用前景[2-4]。（剩余13037字）