SiC晶片减薄用金属间化合物黏结剂金刚石砂轮制备及性能

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摘要 与Si基材料相比，SiC因其导热性好、击穿电场强度高和禁带宽度大等特性成为芯片制造的理想基底材料。但SiC晶片莫氏硬度高达9.5，磨削困难。实现SiC晶片的减薄加工，降低加工成本，提高SiC晶片的加工质量，成为半导体行业亟待解决的问题。采用Cu3Sn和Cu6Sn5金属间化合物为黏结剂，制备面向SiC晶片粗磨和精磨减薄的金刚石砂轮。（剩余17081字）

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