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摘要 单晶碳化硅具有高硬度和高化学惰性,化学机械抛光方法难以同时保证其加工效率和表面质量。电化学机械抛光具有较高的材料去除率,是加工碳化硅的一种有效方法。然而,目前针对碳化硅电化学机械抛光液的相关研究还较为缺乏。为此,首先通过单因素实验确定电化学机械抛光液中导电介质和磨粒种类,然后分析导电介质和磨粒浓度以及抛光液pH值对材料去除率和表面粗糙度的影响规律,最终确定抛光液的最佳参数。(剩余19663字)
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单晶碳化硅电化学机械抛光液的组分设计与优化
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